R6002JND4TL1

商品型号 :

R6002JND4TL1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3950

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.25 欧姆@1A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

7V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7 nC@15 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

130pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

6.6W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223-3

封装/外壳

TO-261-3

ECCN

EAR99