SIZF4800LDT-T1-GE3

商品型号 :

SIZF4800LDT-T1-GE3

类目 :

其它

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

5636

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Ta),36A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

19 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

950pF@40V

功率 - 最大值

4.5W(Ta),56.8W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

12-PowerPair™

供应商器件封装

PowerPAIR® 3x3FS

ECCN

EAR99