百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IMBG120R040M2HXTMA1
阶梯
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2+
$7.932
¥57.3776
10+
$7.8074
¥56.4765
25+
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500+
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TO263-7-12
描述:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
商品型号 :
IMBG120R040M2HXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
2
批次 :
2347+
包装 :
--
库存 :
575
系列
CoolSiC™ G2
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
52A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
39.6 毫欧@17.5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V@5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
39 nC@18 V
Vgs(最大值)
+23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1310pF@800 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
250W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-12
封装/外壳
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
基本产品编号
IMBG120R040
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 575
标准包: 1
增量: 1
批次: 2347+
1+
$7.932
¥57.3776
10+
$7.8074
¥56.4765
25+
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¥55.5753
100+
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250+
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500+
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| 阶梯 | 折后价(含税) | 原价 |
| 1+ | ¥57.3776 | ¥60.3975 |
| 10+ | ¥56.4765 | ¥59.4489 |
| 25+ | ¥55.5753 | ¥58.5003 |
| 100+ | ¥54.6741 | ¥57.5517 |
| 250+ | ¥53.7729 | ¥56.6031 |
| 500+ | ¥52.8817 | ¥55.6649 |
关税
库存: 575
标准包: 1
增量: 1
批次: 2347+
2+
$7.932
¥57.3776
10+
$7.8074
¥56.4765
25+
$7.6828
¥55.5753
100+
$7.5582
¥54.6741
250+
$7.4337
¥53.7729
500+
$7.3105
¥52.8817
| 阶梯 | 折后价(含税) | 原价 |
| 2+ | ¥57.3776 | ¥60.3975 |
| 10+ | ¥56.4765 | ¥59.4489 |
| 25+ | ¥55.5753 | ¥58.5003 |
| 100+ | ¥54.6741 | ¥57.5517 |
| 250+ | ¥53.7729 | ¥56.6031 |
| 500+ | ¥52.8817 | ¥55.6649 |
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