NXV08A170DB2

商品型号 :

NXV08A170DB2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

288

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

托盘

库存 :

204

系列

--

包装

托盘

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200A(Tj)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.99 毫欧@80A,10V,1.35 毫欧@80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

195nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

14000pF@40V

功率 - 最大值

--

工作温度

175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q100

安装类型

通孔

封装/外壳

12-PowerDIP 模块(1.118",28.40mm)

供应商器件封装

APM12-CBA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99