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IPDQ65R017CFD7AXTMA1
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品牌：
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分类：
-
封装：
PG-HDSOP-22-1
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描述：
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 136A, HDSOP
- 最小包装量：1
IPDQ65R017CFD7AXTMA1其他库存
商品IPDQ65R017CFD7AXTMA1规格参数
商品型号 :
IPDQ65R017CFD7AXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
439
系列
CoolMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
136A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧@61.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V@3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
236 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12338pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
694W(Tc)
工作温度
-40℃~150℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-1
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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