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货期:
品牌:
分类:
封装:
模块
描述:
MOSFET 2N-CH 900V 518A MODULE
商品型号 :
CAB003M09DM3
类目 :
品牌 :
CREE/WOLFSPEED
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
散装
库存 :
1
系列
--
包装
散装
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
900V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
518A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3.25 毫欧@400A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@130mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
840nC@15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20.4pF@900V
功率 - 最大值
1163W(Tc)
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
REACH 状态
可根据要求提供 REACH 信息
ECCN
EAR99
阶梯
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库存: 1000
标准包: 50
增量: 1
批次: 26+
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