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CAB003M09DM3

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商品CAB003M09DM3规格参数

商品型号 :

CAB003M09DM3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

1

系列

--

包装

散装

技术

碳化硅(SiC)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

900V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

518A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.25 毫欧@400A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@130mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

840nC@15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

20.4pF@900V

功率 - 最大值

1163W(Tc)

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

模块

REACH 状态

可根据要求提供 REACH 信息

ECCN

EAR99

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