WNSC2M1K0170WQ

商品型号 :

WNSC2M1K0170WQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

WeEn(瑞能)

最小包装量 :

240

起订量 :

240

批次 :

2423+

包装 :

--

库存 :

480

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1 欧姆@1A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.2V@800µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

225pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

79W(Ta)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

WNSC2

ECCN

EAR99