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TW015N65C,S1F
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美金
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- 库存：30
- 起订量：30
- 倍数：30
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-247
-
描述：
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
- 最小包装量：30
- 批次：2333+
TW015N65C,S1F其他库存
商品TW015N65C,S1F规格参数
商品型号 :
TW015N65C,S1F
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
30
起订量 :
30
批次 :
2333+
包装 :
--
库存 :
30
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧@50A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@11.7mA
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4850pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
342W(Tc)
工作温度
175℃
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
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