RQ1E070RPHZGTR

商品型号 :

RQ1E070RPHZGTR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2887

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

17 毫欧@7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

26 nC@4 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2700pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.1W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TSMT8

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

ECCN

EAR99