百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IKP30N65H5XKSA1
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TO220-3
描述:
Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT
商品型号 :
IKP30N65H5XKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
2
起订量 :
2
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
320
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
55A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90A
功率 - 最大值
188W
开关能量
280µJ(开),100µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
70 nC
25℃ 时 Td(开/关)值
19ns/177ns
测试条件
400V,15A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
51ns
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
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