IMBG120R026M2HXTMA1

商品型号 :

IMBG120R026M2HXTMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2417+

包装 :

Cut Strips

库存 :

832

系列

CoolSiC™ G2

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

25.4 毫欧@27.3A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.1V@8.6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

60 nC@18 V

Vgs(最大值)

+23V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1990pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

335W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-7-12

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

基本产品编号

IMBG120R026

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99