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TW030Z120C,S1F

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商品TW030Z120C,S1F规格参数

商品型号 :

TW030Z120C,S1F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

30

起订量 :

30

批次 :

2439+

包装 :

--

库存 :

30

FET 类型

N 通道

技术

SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

41 毫欧@30A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@13mA

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2925pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

249W(Tc)

工作温度

175℃

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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