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    场效应管(MOSFET)IGLR60R190D1XUMA1采购_元器件采购商城
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    IGLR60R190D1XUMA1

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    商品IGLR60R190D1XUMA1规格参数

    商品型号 :

    IGLR60R190D1XUMA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    2251+

    包装 :

    Cut Strips

    库存 :

    590

    FET 类型

    N 通道

    技术

    GaNFET(氮化镓)

    漏源电压(Vdss)

    600V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    12.8A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    --

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    --

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1,6V@960µA

    Vgs(最大值)

    -10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    157pF@400 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    55,5W(Tc)

    工作温度

    -40℃~150℃(TJ)

    湿气等级

    3(168 小时)

    产品状态

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    • IGLR60R190D1XUMA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IGLR60R190D1XUMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TSON-8-6

      库存： 590

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2251+

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    • IGLR60R190D1XUMA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IGLR60R190D1XUMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TSON-8-6

      库存： 590

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      增量： 1

      批次： 2251+

      1+

      $5.4266

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