ES6U1T2R

商品型号 :

ES6U1T2R

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

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包装 :

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库存 :

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系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

260 毫欧@1.3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.4 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

290pF@6 V

FET 功能

肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值)

700mW(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-WEMT

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99