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ES6U42T2R

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  • 起订量:1
  • 倍数:1
  • 最小包装量:1

商品ES6U42T2R规格参数

商品型号 :

ES6U42T2R

类目 :

其它

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

--

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

390 毫欧@1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1mA

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

150pF@10 V

FET 功能

肖特基二极管(体)

功率耗散(最大值)

700mW(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

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