IMT65R048M1HXUMA1

商品型号 :

IMT65R048M1HXUMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

25

系列

CoolSiC™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

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技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

--

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

--

工作温度

--

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-HSOF-8-2

封装/外壳

8-PowerSFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99