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GNP1150TCA-ZE2

阶梯

美金

含税

1+

--

¥50.9793

10+

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¥34.1713

100+

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¥24.7101

500+

--

¥20.6416

1000+

--

¥19.3175

  • 库存:3480
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥50.9793

  • 最小包装量:1

商品GNP1150TCA-ZE2规格参数

商品型号 :

GNP1150TCA-ZE2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3480

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V,5.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

195 毫欧@1.9A,5.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@18mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.7 nC@6 V

Vgs(最大值)

+6V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

112pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

62.5W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN8080AK

封装/外壳

8-PowerDFN

基本产品编号

GNP1150

ECCN

EAR99

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