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NTMFS5C442NT1G

阶梯

美金

含税

1+

--

¥4.0116

10+

--

¥3.1034

30+

--

¥2.6932

100+

--

¥2.2135

500+

--

¥1.9889

1500+

--

¥1.8462

  • 库存:2424
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥4.0116

  • 品牌:

    Onsemi(安森美)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    DFN-5(5x6)

  • 描述:

    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):29A;140A 功率(Pd):3.7W;83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@50A,10V 单 N 沟道功率 MOSFET 40V,140A,2.3mΩ

  • 最小包装量:1500

商品NTMFS5C442NT1G规格参数

商品型号 :

NTMFS5C442NT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2424

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A(Ta),140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.3 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

32 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2100pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.7W(Ta),83W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳

8-PowerTDFN,5 引线

基本产品编号

NTMFS5

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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