XPN12006NC,L1XHQ

商品型号 :

XPN12006NC,L1XHQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2309+

包装 :

Cut Strips

库存 :

2386

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@200µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1100pF@10 V

功率耗散(最大值)

65W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售