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    场效应管(MOSFET)XP10C150M采购_元器件采购商城
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    商品XP10C150M规格参数

    商品型号 :

    XP10C150M

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    YAGEO(国巨)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    106

    系列

    XP10C150

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    N 和 P 沟道

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    100V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    2.5A(Ta)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    150 毫欧@2A,10V,160 毫欧@2A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    17.6nC@10V,51.2nC@10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    960pF@50V,3040pF@50V

    功率 - 最大值

    2W(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装

    8-SO

    ECCN

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