XP2N1K2EN1

商品型号 :

XP2N1K2EN1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

YAGEO(国巨)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

160

系列

XP2N1K2E

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.2V,2.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.2 欧姆@200mA,2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.7 nC@2.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

44pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

150mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-723

封装/外壳

SOT-723

基本产品编号

XP2N

ECCN

EAR99