IMYH200R100M1HXKSA1

商品型号 :

IMYH200R100M1HXKSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2614+

包装 :

--

库存 :

230

系列

CoolSiC™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

2000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

131 毫欧@10A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.5V@6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

55 nC@18 V

Vgs(最大值)

+20V,-7V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

217W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO247-4-U04

封装/外壳

TO-247-4

基本产品编号

IMYH200

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99