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XP3C023AMT

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商品XP3C023AMT规格参数

商品型号 :

XP3C023AMT

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

YAGEO(国巨)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

196

系列

XP3C023A

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Ta),10A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

10.4 毫欧@10A,10V,23.5 毫欧@7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

19.2nC@4.5V,21.6nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2320pF@15V,2480pF@15V

功率 - 最大值

3.57W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerLDFN

供应商器件封装

8-PMPAK(5x6)

ECCN

EAR99

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    品牌: YAGEO(国巨)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-PMPAK(5x6)

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  • XP3C023AMT

    品牌: YAGEO(国巨)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-PMPAK(5x6)

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