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TPN8R903NL,LQ

阶梯

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  • 库存:2312
  • 起订量:70
  • 倍数:1

货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 6-9工作日

数量:

- +

合计:

¥65.835

  • 最小包装量:1
  • 批次:2305+

商品TPN8R903NL,LQ规格参数

商品型号 :

TPN8R903NL,LQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

70

批次 :

2305+

包装 :

--

库存 :

2312

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8.9 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.3V@100µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

820pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

700mW(Ta),22W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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