百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > BSC070N10NS5ATMA1
阶梯
美金
含税
11+
$1.7092
¥13.0576
25+
$1.4537
¥11.1051
100+
$1.2207
¥9.3254
250+
$1.2085
¥9.2321
500+
$0.9502
¥7.2587
1000+
$0.8759
¥6.6917
3000+
$0.7501
¥5.7303
货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TDSON-8-7
描述:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
单 价:
品 牌:
HXY MOSFET(华轩阳电子)
库 存:
360000
起订量:
5000
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
3400
起订量:
1
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
1025000
起订量:
372
商品型号 :
BSC070N10NS5ATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
11
批次 :
2301+
包装 :
--
库存 :
3400
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧@40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V@50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2700pF@50 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),83W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC070
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 360000
标准包: 5000
增量: 5000
批次: 26+
5000+
--
¥3.1818
5200+
--
¥3.1461
5500+
--
¥3.1111
6000+
--
¥3.0769
库存: 3400
标准包: 1
增量: 1
批次: 2301+
11+
$1.7092
¥13.0576
25+
$1.4537
¥11.1051
100+
$1.2207
¥9.3254
250+
$1.2085
¥9.2321
500+
$0.9502
¥7.2587
1000+
$0.8759
¥6.6917
3000+
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