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IPTC054N15NM5ATMA1
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品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-HDSOP-16-2
-
描述：
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 143A, HDSOP
- 最小包装量：1
IPTC054N15NM5ATMA1其他库存
商品IPTC054N15NM5ATMA1规格参数
商品型号 :
IPTC054N15NM5ATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
341
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.5A(Ta),143A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
5.4 毫欧@50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.6V@191µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
73 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5700pF@75 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),250W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2
封装/外壳
16-PowerSOP 模块
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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