C3M0120100J

商品型号 :

C3M0120100J

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2538+

包装 :

--

库存 :

755

系列

C3M™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

155 毫欧@15A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

21.5 nC@15 V

Vgs(最大值)

+15V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

350pF@600 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

83W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

基本产品编号

C3M0120100

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99