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NXV08H350XT1

阶梯

美金

含税

1+

$816.8565

¥6782.9318

40+

$596.4852

¥4953.0342

120+

$562.7221

¥4672.676

关税
  • 库存:40
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥6782.9318

  • 包装:散装
  • 最小包装量:40

商品NXV08H350XT1规格参数

商品型号 :

NXV08H350XT1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

40

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

40

系列

--

包装

散装

技术

MOSFET(金属氧化物)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.762 毫欧@160A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.6V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

320nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

24350pF@40V

功率 - 最大值

--

工作温度

-40℃~125℃(TA)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

封装/外壳

17-PowerDIP 模块(1.390",35.30mm)

供应商器件封装

APM17-MDC

基本产品编号

NXV08H

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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