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RCD100N20TL

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  • 分类:

    其它

  • 描述:

    Trans MOSFET N-CH Si 200V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R

  • 最小包装量:1
  • 批次:2201+

商品RCD100N20TL规格参数

商品型号 :

RCD100N20TL

类目 :

其它

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

105

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

2500

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

182 毫欧@5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.25V@1mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1400pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

850mW(Ta),20W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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