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S29GL512S11DHIV23

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  • 包装:Cut Strips
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  • 批次:2319+

商品S29GL512S11DHIV23规格参数

商品型号 :

S29GL512S11DHIV23

类目 :

其它存储器

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2319+

包装 :

Cut Strips

库存 :

129

系列

GL-S

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

DigiKey 可编程

未验证

存储器类型

非易失

存储器格式

闪存

技术

FLASH - NOR

存储容量

512Mb

存储器组织

32M x 16

存储器接口

并联

写周期时间 - 字,页

60ns

访问时间

110ns

电压 - 供电

1.65V~3.6V

工作温度

-40℃~85℃(TA)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

64-LBGA

供应商器件封装

64-FBGA(9x9)

基本产品编号

S29GL512

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

3A991B1A

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  • S29GL512S11DHIV23

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 其它存储器

    封装: 64-FBGA(9x9)

    库存: 129

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2319+

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  • S29GL512S11DHIV23

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

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    封装: 64-FBGA(9x9)

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