IPTG063N15NM5ATMA1

商品型号 :

IPTG063N15NM5ATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

27

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16.2A(Ta),122A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

8V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6.3 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.6V@163µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4800pF@75 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.8W(Ta),214W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售