GD10MPS12E

商品型号 :

GD10MPS12E

类目 :

其它

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2330+

包装 :

Cut Strips

库存 :

1378

系列

SiC Schottky MPS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

SiC(Silicon Carbide)Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

1200V

电流 - 平均整流 (Io)

29A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8V@10 A

速度

零恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr)

0ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

5 µA@1200 V

不同 Vr,F 时电容

367pF@1V,1MHz

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

TO-252-2

工作温度 - 结

-55℃~175℃

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99