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货期:
品牌:
分类:
描述:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
商品型号 :
IRF640NSTRRPBF
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
10
批次 :
2239+
包装 :
--
库存 :
66
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧@11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1160pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
阶梯
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库存: 66
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增量: 1
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