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SQJ958EP-T1_GE3
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品牌：
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分类：
-
封装：
PowerPAK® SO-8 双
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描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
- 最小包装量：1
- 批次：2616+
SQJ958EP-T1_GE3其他库存
商品SQJ958EP-T1_GE3规格参数
商品型号 :
SQJ958EP-T1_GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2616+
包装 :
--
库存 :
6000
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
34.9 毫欧@4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1075pF@30V
功率 - 最大值
35W
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
SQJ958
ECCN
EAR99
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