STGB10NB37LZT4

商品型号 :

STGB10NB37LZT4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1000

起订量 :

1000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

120

系列

PowerMESH™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

440V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

20A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

40A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.8V@4.5V,10A

功率 - 最大值

125W

开关能量

2.4mJ(导通),5mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

28 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

1.3µs/8µs

测试条件

328V,10A,1 千欧,5V

工作温度

-65℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

D2PAK

基本产品编号

STGB10

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99