NTJD1155LT1G

商品型号 :

NTJD1155LT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1060

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

8V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.3A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

175 毫欧@1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

--

功率 - 最大值

400mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

基本产品编号

NTJD1155

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99