SIZF906BDT-T1-GE3

商品型号 :

SIZF906BDT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

5310

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(双),肖特基

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

36A(Ta),105A(Tc),63A(Ta),257A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.1 毫欧@15A,10V,0.68 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

49nC@10V,165nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1630pF@15V,5550pF@15V

功率 - 最大值

4.5W(Ta),38W(Tc),5W(Ta),83W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PowerPair®(6x5)

基本产品编号

SIZF906

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99