IPB80N06S4L05ATMA2

商品型号 :

IPB80N06S4L05ATMA2

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

520

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5.1 毫欧@80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@60µA

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

8180pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

107W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)