STGB10NC60HDT4

商品型号 :

STGB10NC60HDT4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

5

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

210

系列

PowerMESH™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

20A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

30A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.5V@15V,5A

功率 - 最大值

65W

开关能量

31.8µJ(导通),95µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

19.2 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

14.2ns/72ns

测试条件

390V,5A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

22ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

D2PAK

基本产品编号

STGB10

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99