百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > STGB10NC60HDT4
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货期:
品牌:
分类:
封装:
D2PAK
描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
商品型号 :
STGB10NC60HDT4
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2313+
包装 :
Cut Strips
库存 :
6
系列
PowerMESH™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
IGBT 类型
--
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
30A
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V@15V,5A
功率 - 最大值
65W
开关能量
31.8µJ(导通),95µJ(关断)
输入类型
标准
栅极电荷
19.2 nC
25℃ 时 Td(开/关)值
14.2ns/72ns
测试条件
390V,5A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
22ns
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
基本产品编号
STGB10
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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