BSP135H6327XTSA1

商品型号 :

BSP135H6327XTSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2627

系列

SIPMOS®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 沟道,耗尽型

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

120mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

0V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

45 欧姆@120mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@94µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

4.9 nC@5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

146pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.8W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223-4

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

基本产品编号

BSP135

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99