SIZF5302DT-T1-RE3

商品型号 :

SIZF5302DT-T1-RE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

12339

系列

TrenchFET® Gen V

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

28.1A(Ta),100A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.2 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

22.2nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1030pF@15V

功率 - 最大值

3.8W(Ta),48.1W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

12-PowerPair™

供应商器件封装

PowerPAIR® 3x3FS

基本产品编号

SIZF5302

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99