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TW015N65C,S1F
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1+
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30+
$50.4885
¥392.8294
- 库存：24
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-247
-
描述：
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
- 包装：管件
- 最小包装量：30
TW015N65C,S1F其他库存
商品TW015N65C,S1F规格参数
商品型号 :
TW015N65C,S1F
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
30
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
24
系列
--
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧@50A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
128 nC@18 V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4850pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
342W(Tc)
工作温度
175℃
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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