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TW060N120C,S1F
阶梯
美金
含税
1+
$25.256
¥196.506
30+
$16.1066
¥125.3182
120+
$15.4028
¥119.8421
- 库存：39
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-247
-
描述：
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
- 包装：管件
- 最小包装量：30
商品TW060N120C,S1F规格参数
商品型号 :
TW060N120C,S1F
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
30
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
39
系列
--
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
78 毫欧@18A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
46 nC@18 V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1530pF@800 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
170W(Tc)
工作温度
175℃
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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香港交货
大陆交货(含税)
-
库存： 39
标准包： 30
增量： 1
1+
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¥196.506
30+
$16.1066
¥125.3182
120+
$15.4028
¥119.8421
大陆: 10-13工作日香港: 8-11工作日关税