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    三极管(BJT)MMSTA55-7-F采购_元器件采购商城
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    MMSTA55-7-F

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    商品MMSTA55-7-F规格参数

    商品型号 :

    MMSTA55-7-F

    类目 :

    三极管(BJT)

    品牌 :

    DIODES(美台)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    720

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    晶体管类型

    PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    500mA

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    60V

    不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

    250mV@10mA,100mA

    电流 - 集电极截止(最大值)

    100nA(ICBO)

    不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

    100@100mA,1V

    功率 - 最大值

    200 mW

    频率 - 跃迁

    50MHz

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    SC-70,SOT-323

    供应商器件封装

    SOT-323

    基本产品编号

    MMSTA55

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • MMSTA55-7-F_三极管(BJT)
      数据手册
      MMSTA55-7-F

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 三极管(BJT)

      封装： SOT-323

      库存： 720

      标准包： 1

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    • MMSTA55-7-F_三极管(BJT)
      数据手册
      MMSTA55-7-F

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 三极管(BJT)

      封装： SOT-323

      库存： 720

      标准包： 1

      增量： 5

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