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FGHL50T65MQDTL4

阶梯

美金

含税

1+

--

¥42.7568

10+

--

¥31.192

100+

--

¥24.1762

500+

--

¥23.6957

1000+

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¥23.2151

  • 库存:25
  • 起订量:1
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货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥42.7568

  • 最小包装量:1

商品FGHL50T65MQDTL4规格参数

商品型号 :

FGHL50T65MQDTL4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

25

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.8V@15V,50A

功率 - 最大值

268W

开关能量

1mJ(导通),850µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

99 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

50ns/336ns

测试条件

400V,50A,30 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

79ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-4

供应商器件封装

TO-247-4L

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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