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    场效应管(MOSFET)SIA918EDJ-T1-GE3采购_元器件采购商城
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    SIA918EDJ-T1-GE3

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    商品SIA918EDJ-T1-GE3规格参数

    商品型号 :

    SIA918EDJ-T1-GE3

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    VISHAY(威世)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    6048

    系列

    TrenchFET®

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 N-通道(双)

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    30V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    4.5A(Tc)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    58 毫欧@3A,4.5V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    5.5nC@4.5V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    --

    功率 - 最大值

    7.8W

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    PowerPAK® SC-70-6 双

    供应商器件封装

    PowerPAK® SC-70-6 双

    基本产品编号

    SIA918

    REACH 状态

    未明确供应商

    ECCN

    EAR99

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    • SIA918EDJ-T1-GE3_场效应管(MOSFET)
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      SIA918EDJ-T1-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PowerPAK® SC-70-6 双

      库存： 6048

      标准包： 1

      增量： 5

      5+

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    • SIA918EDJ-T1-GE3_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SIA918EDJ-T1-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PowerPAK® SC-70-6 双

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