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    场效应管(MOSFET)ZXMN10A08DN8TA采购_元器件采购商城
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    ZXMN10A08DN8TA

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    商品ZXMN10A08DN8TA规格参数

    商品型号 :

    ZXMN10A08DN8TA

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

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    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    256

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 N-通道(双)

    FET 功能

    逻辑电平门

    漏源电压(Vdss)

    100V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    1.6A

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    250 毫欧@3.2A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V@250µA(最小)

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    7.7nC@10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    405pF@50V

    功率 - 最大值

    1.25W

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装

    8-SO

    基本产品编号

    ZXMN10

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • ZXMN10A08DN8TA_场效应管(MOSFET)
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      ZXMN10A08DN8TA

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-SO

      库存： 256

      标准包： 1

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    • ZXMN10A08DN8TA_场效应管(MOSFET)
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      ZXMN10A08DN8TA

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-SO

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      标准包： 1

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