STGB19NC60HDT4

商品型号 :

STGB19NC60HDT4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1000

起订量 :

1000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2000

系列

PowerMESH™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

60A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.5V@15V,12A

功率 - 最大值

130W

开关能量

85µJ(导通),189µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

53 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

25ns/97ns

测试条件

390V,12A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

31ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

D2PAK

基本产品编号

STGB19

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99