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S80KS5122GABHB020
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货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
24-FBGA（6x8）
-
描述：
DRAM, AEC-Q100, 512MBIT, -40 TO 105DEG C
- 最小包装量：1
S80KS5122GABHB020其他库存
商品S80KS5122GABHB020规格参数
商品型号 :
S80KS5122GABHB020
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
649
系列
HYPERRAM™
包装
托盘
DigiKey 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
PSRAM
技术
PSRAM(伪 SRAM)
存储容量
512Mb
存储器组织
64M x 8
存储器接口
HyperBus
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字,页
35ns
访问时间
35ns
电压 - 供电
1.7V~2V
工作温度
-40℃~105℃(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-VBGA
供应商器件封装
24-FBGA(6x8)
基本产品编号
S80KS5122
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
3A991B1A
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